Tellururo di zinco
| Tellururo di zinco | |
|---|---|
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| Caratteristiche generali | |
| Formula bruta o molecolare | ZnTe |
| Massa molecolare (u) | 192,99 g/mol[1] |
| Aspetto | cristalli rossi |
| Numero CAS | |
| Numero EINECS | 215-260-2 |
| PubChem | 3362486 |
| SMILES | [Zn]=[Te] |
| Proprietà chimico-fisiche | |
| Densità (g/l, in c.s.) | 6340 g/cm3[1] |
| Indice di rifrazione | 3,56[2] |
| Temperatura di fusione | 1568 °C |
| Proprietà termochimiche | |
| C0p,m(J·K−1mol−1) | 264 J/(kg·K)[1] |
| Indicazioni di sicurezza | |
Il tellururo di zinco è un composto chimico binario con la formula ZnTe. Questo solido è un materiale semiconduttore con una banda proibita diretta di 2,26 eV[2].; di solito è un semiconduttore di tipo p. La sua struttura cristallina è cubica, come quella della sfalerite e del diamante[1].
Proprietà[modifica | modifica wikitesto]
Il tellururo di zinco ha l'aspetto di polvere grigia o rosso-brunastra, o cristalli rosso rubino quando raffinato per sublimazione. Il tellururo di zinco aveva tipicamente una struttura cristallina cubica (sfalerite, o "zincblenda"), ma può anche essere preparato come cristalli di salgemma o come cristalli esagonali (struttura tipo wurtzite). Irradiato da un forte raggio ottico brucia in presenza di ossigeno. La sua costante reticolare è di 0,6101 nm, che gli consente di essere coltivato con o su antimoniuro di alluminio, antimoniuro di gallio, arseniuro di indio e seleniuro di piombo. Con un certo disadattamento reticolare, può anche essere coltivato su altri substrati come arseniuro di gallio (GaAs)[4], e può essere coltivato in forma policristallina (o nanocristallina) a film sottile su substrati come il vetro, ad esempio, nella produzione di sottili celle solari a pellicola. Nella struttura cristallina della wurtzite (esagonale), ha parametri reticolari a = 0,427 nm e c = 0,699 nm[5].
Applicazioni[modifica | modifica wikitesto]
Optoelettronica[modifica | modifica wikitesto]
Il tellururo di zinco può essere facilmente drogato, e per questo motivo è uno dei materiali semiconduttori più comuni utilizzati in optoelettronica. Il tellururo di zinco è importante per lo sviluppo di vari dispositivi a semiconduttore, inclusi LED blu, diodi laser, celle solari e componenti di generatori di microonde. Può essere utilizzato come materiale semiconduttore di tipo p per una struttura CdTe/ZnTe[6] o in strutture a diodi PIN.
Il materiale può essere utilizzato anche come componente di composti semiconduttori ternari, quali (concettualmente una miscela composta dai terminali di tellururo di zinco e tellururo di cadmio), che possono essere realizzati con una composizione variabile per consentire una banda proibita ottica da regolare a piacimento[senza fonte].
Ottica non lineare[modifica | modifica wikitesto]
Il tellururo di zinco insieme al niobato di litio viene spesso utilizzato per la generazione di radiazioni terahertz pulsate nella spettroscopia terahertz nel dominio del tempo e nell'imaging terahertz. Quando un cristallo di tale materiale è sottoposto a un impulso luminoso ad alta intensità della durata di subpicosecondi, emette un impulso di frequenza terahertz attraverso un processo ottico non lineare chiamato rettifica ottica[7]. Al contrario, sottoporre un cristallo di tellururo di zinco a radiazioni terahertz mostra birifrangenza ottica e modifica la polarizzazione di una luce trasmittente, rendendolo un rivelatore elettro-ottico.
Il tellururo di zinco drogato con vanadio, "ZnTe:V", è un materiale fotorifrattivo ottico non lineare di possibile utilizzo nella protezione di sensori a lunghezze d'onda visibili. I limitatori ottici ZnTe:V sono leggeri e compatti, senza complicate ottiche dei limitatori convenzionali. ZnTe:V può bloccare un raggio di disturbo ad alta intensità da un abbagliatore laser, pur passando l'immagine a bassa intensità della scena osservata. Può essere utilizzato anche nell'interferometria olografica, nelle interconnessioni ottiche riconfigurabili e nei dispositivi di coniugazione di fase ottica laser. Offre prestazioni fotorefattive superiori a lunghezze d'onda comprese tra 600 e 1300 nm, rispetto ad altri semiconduttori composti III-V e II-VI. Aggiungendo manganese come drogante aggiuntivo (ZnTe:V:Mn), la sua resa fotorifrattiva può essere notevolmente aumentata[senza fonte].
Note[modifica | modifica wikitesto]
- ^ a b c d (EN) William M. Haynes, CRC Handbook of Chemistry and Physics, 92ª ed., CRC Press, p. 12.80, ISBN 978-14-39-85511-9.
- ^ a b (EN) William M. Haynes, CRC Handbook of Chemistry and Physics, 92ª ed., CRC Press, p. 12.85, ISBN 978-14-39-85511-9.
- ^ (EN) K. Kanazawa, S. Yoshida, H. Shigekawa e S. Kuroda, Dynamic probe of ZnTe(110) surface by scanning tunneling microscopy, in Science and Technology of Advanced Materials, vol. 16, 2015, p. 015002, DOI:10.1088/1468-6996/16/1/015002.
- ^ (EN) O'Dell, Dakota, MBE Growth and Characterization of ZnTe and Nitrogen-doped ZnTe on GaAs(100) Substrates (PDF), su Department of Physics, University of Notre Dame, 2021.
- ^ (EN) p. 28 Kittel, C., Introduction to Solid State Physics, 5ª ed., 1976.
- ^ (EN) N. Amin, K. Sopian e M. Konagai, Numerical modeling of CdS/Cd Te and CdS/Cd Te/Zn Te solar cells as a function of Cd Te thickness, in Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 91, n. 13, 2007, p. 1202, DOI:10.1016/j.solmat.2007.04.006.
- ^ (EN) THz Generation and Detection in ZnTe, su chem.yale.edu. URL consultato il 31 ottobre 2021 (archiviato dall'url originale il 1º dicembre 2010).
Voci correlate[modifica | modifica wikitesto]
Altri progetti[modifica | modifica wikitesto]
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