Arseniuro di gallio
| Arseniuro di gallio | |
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| Caratteristiche generali | |
| Formula bruta o molecolare | GaAs |
| Massa molecolare (u) | 144,645 |
| Numero CAS | |
| Numero EINECS | 215-114-8 |
| PubChem | 14770 |
| SMILES | [Ga]#[As] |
| Proprietà chimico-fisiche | |
| Densità (g/cm3, in c.s.) | 5,316 g/cm³ |
| Temperatura di fusione | 1238 °C |
| Indicazioni di sicurezza | |
| Simboli di rischio chimico | |
 
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| pericolo | |
| Frasi H | 301 - 331 - 410 |
| Consigli P | 261 - 301+310 - 304+340 - 321 - 405 - 501 [1][2] |
L'arseniuro di gallio è un composto chimico inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio. La sua formula chimica è GaAs.
È caratterizzato da un'alta mobilità elettrica dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune) e da una banda di energia proibita diretta, per cui trova applicazioni nei dispositivi elettronici ad altissima velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche.
Caratteristiche strutturali e fisiche[modifica | modifica wikitesto]
In questo composto il gallio presenta il numero di ossidazione +3.
Sintesi del composto[modifica | modifica wikitesto]
Il composto può essere sintetizzato come cristallo singolo, allo scopo di produrre dei wafer, o come film sottile.
Per produrre l'arseniuro di gallio in forma monocristallina è possibile usare il processo Czochralski[3], largamente utilizzato per produrre il silicio monocristallino. Un'altra possibilità è il metodo Bridgman-Stockbarger in cui la crescita del cristallo avviene all'interno di una fornace orizzontale, in cui vengono fatti reagire vapori di gallio e arsenico e il composto si deposita su un seme monocristallino.
Anche per produrre un film sottile esistono diverse possibilità:
- Deposizione chimica da vapore, a partire da gallio metallico gassoso e tricloruro di arsenico: 2 Ga + 2 AsCl3 → 2 GaAs + 3 Cl2.[4]
- MOCVD da trimetilgallio e arsina: Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3 CH4.[5]
- Epitassia da fasci molecolari da gallio e arsenico: 4 Ga + As4 → 4 GaAs oppure 2 Ga + As2 → 2 GaAs.
Note[modifica | modifica wikitesto]
- ^ scheda della sostanza su IFA-GESTIS Archiviato il 16 ottobre 2019 in Internet Archive.
- ^ Smaltire in accordo alle leggi vigenti.
- ^ Lesley Smart e Elaine A. Moore, Solid State Chemistry: An Introduction, CRC Press, 2005, p. 173, ISBN 978-0-7487-7516-3.
- ^ Lesley Smart e Elaine A. Moore, Solid State Chemistry: An Introduction, CRC Press, 2005, pp. 167-168, ISBN 978-0-7487-7516-3.
- ^ Lesley Smart e Elaine A. Moore, Solid State Chemistry: An Introduction, CRC Press, 2005, p. 170, ISBN 978-0-7487-7516-3.
Voci correlate[modifica | modifica wikitesto]
Altri progetti[modifica | modifica wikitesto]
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Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]
- (EN) gallium arsenide / gallium arsenide epitaxy, su Enciclopedia Britannica, Encyclopædia Britannica, Inc.
- http://tesi.cab.unipd.it/26376/1/Arseniuro_di_Gallio,_ULSI.pdf (Università di Padova, sull'impiego dell'Arseniuro di Gallio)
| Controllo di autorità | LCCN (EN) sh95005279 · GND (DE) 4019155-2 · J9U (EN, HE) 987007551674705171 |
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