10 nm

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Il processo costruttivo a 10 nm (10 nanometri), inizialmente 11 nm secondo l'International Technology Roadmap for Semiconductors, è l'evoluzione del futuro processo a 14 nm utilizzato per i microprocessori Intel e AMD (oltre che per altri tipi di circuiti realizzati da altre società del settore) e la sua introduzione è prevista tra il 2015 e il 2016[1].

Il nome esatto per questo stadio della tecnologia proviene dalla International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), che tuttavia nella sua roadmap aveva segnato come tecnologie future la soglia dei 16 nm nel 2015 (poi aggiornata ai 14 nm del 2013[2]) e degli 11 nm nel 2022 (poi aggiornata ai 10 nm del 2015).

Il termine "10 nm" indica la dimensione media del gate di ogni singolo transistor. Per avere un'idea di cosa voglia dire "10 nm" basti considerare che il virus dell'HIV è grande circa 120 nm, un globulo rosso umano circa 6000-8000 nm e un capello quasi 80000 nm.

I vantaggi nel passare a questo processo costruttivo e, più in generale, a cercare di migliorare sempre più la miniaturizzazione, sono molteplici: si va dal miglioramento della resa produttiva con conseguente abbattimento di costi (più un processore è "piccolo" e più processori possono essere fabbricati con un solo wafer), alla diminuzione del consumo elettrico, passando per la possibilità di integrare un numero di transistor sempre maggiore con conseguente aumento della potenza elaborativa.

Tecnologia futura...[modifica | modifica sorgente]

A settembre 2009 Intel ha dichiarato che sta esplorando le proprietà di diversi materiali alternativi al silicio, per poter raggiungere tale processo produttivo (in quanto a tali dimensioni si è molto vicini al "limite fisico" del materiale) e tra i più promettenti vi sono i nanotubi di carbonio e gli elementi del terzo e quinto gruppo della tavola periodica (in particolare Gallio, Indio e Tallio per il terzo gruppo, Arsenico e Antimonio per il quinto). Appare quindi possibile che il nuovo processo produttivo sia basato su elementi diversi dal tradizionale silicio, e questo segnerebbe una svolta epocale nella realizzazione dei circuiti integrati, ma non è escluso che essi possano in realtà venire combinati all'elemento originale così da ottenere chip "composti".

...o "passata"?[modifica | modifica sorgente]

Nonostante queste nuove tecnologie sembrino affacciarsi adesso sul mondo della produzione di massa, in realtà è da un decennio che si compiono prove e sperimentazioni su chipset più piccoli di 22 nm (limite massimo raggiunto, in produzione di massa, nel 2011/2012). In ordine cronologico questi sono stati gli sviluppi (sicuramente non perfettamente stabili) che fanno sembrare queste nuove tecnologie future, superate:

  • 2002 - IBM produce un transistor in silicio di 6 nm.[3]
  • 2003 - NEC produce un transistor anch'esso in silicio di 5 nm.[4]
  • 2009 - Il National Nano Device Laboratories (Taiwanese) produce una SRAM di 16 nm.[5]

Il processo successivo[modifica | modifica sorgente]

L'evoluzione del processo a 10 nm dovrebbe essere quello a 8 nm o 7 nm, che, secondo indiscrezioni giunte da Intel[6], dovrebbe arrivare nel 2015. Tuttavia nel 2011 Intel ha aggiornato il suo Tick-Tock progettando di saltare il 10 nm e passare quindi dai 14 agli 8 nm.

Note[modifica | modifica sorgente]

  1. ^ Intel: processo produttivo a 4nm nel 2022, Hardware Upgrade, 24-08-2009. URL consultato l'11-03-2013.
  2. ^ Dai 16 ai 14 nm
  3. ^ IBM claims world's smallest silicon transistor- The Inquirer
  4. ^ NEC test-produces world's smallest transistor. - Free Online Library
  5. ^ http://www.taiwantoday.tw/ct.asp?xitem=87144&CtNode=416
  6. ^ Intel's 8 nm chipset in 2015