65 nm

Da Wikipedia, l'enciclopedia libera.

Il processo costruttivo a 65 nm (65 nanometri) è l'evoluzione del processo a 90 nm utilizzato per i microprocessori Intel e AMD che viene utilizzato, al momento solo da parte di Intel, a partire dai primi mesi del 2006. Il termine "65 nm" indica la dimensione media del gate di ogni singolo transistor. Per avere un'idea di cosa voglia dire "65 nm" basti considerare che il virus dell'HIV è grande circa 120 nm, un globulo rosso umano circa 6000-8000 nm e un capello quasi 80000 nm.

A 65 nm, lo spessore dello strato isolante sopra un transistor è estremamente ridotto, e questo causa un fenomeno di elettro-migrazione, ovvero alcuni elettroni "saltano" dall'altra parte dell'isolamento. In inglese questo fenomeno viene chiamato "leakage". Tale fenomeno provoca un aumento del consumo totale del processore e quindi anche un aumento di temperatura.

Intel ha dovuto far fronte a questo problema già con il Pentium 4 Prescott, costruito a 90 nm, che scatenò subito diverse polemiche legate appunto al suo alto "leakage", e quindi all'enorme consumo. Tale problema dovrebbe risolversi con il futuro utilizzo di una nuova versione della tecnologia strained silicon e un nuovo strato isolante a bassa costante K (Low K dielectric).

Il primo processore a 65 nm è stato Yonah, ossia la prima generazione della nuova CPU mobile Core Duo, successore del Pentium M Dothan. Per quanto riguarda Intel, tale processo produttivo raggiungerà la propria maturità a partire dalla fine del 2006, periodo in cui verrà lanciato Merom, successore di Yonah, oltre a Conroe e Woodcrest, derivati da Merom, e indirizzati rispettivamente al settore desktop e al settore server.

Intel ha affermato inoltre che il nuovo processo produttivo, se confrontato con il precedente a 90 nm, permetterà transistor del 20% più veloci richiedendo il 30% di energia in meno.

[modifica] Processori che utilizzano/utilizzeranno il processo costruttivo a 65 nm

[modifica] Processori Intel

• Pentium 4
  • Cedar Mill
  • Millville

• Pentium D
  • Presler
  • Conroe
  • Allendale

• Pentium Extreme Edition
  • Kentsfield

• Core Duo
  • Yonah
  • Merom

• Xeon DP
  • Sossaman
  • Dempsey
  • Woodcrest
  • Clovertown

• Xeon MP
  • Tulsa
  • Tigerton
  • Whitefield (forse annullato)

• Itanium 2 DP
  • Montvale
  • Dimona

• Itanium 2 MP
  • Montvale
  • Tukwila

v • d • m Processi costruttivi per circuiti integrati (VLSI)
Linea temporale
10 µm · 3 µm · 1.5 µm · 1 µm · 800 nm · 600 nm · 350 nm · 250 nm · 180 nm · 130 nm · 90 nm · 65 nm · 45 nm · 32 nm · 22 nm · 16 nm
Unità di misura: Micrometro · Nanometro