Resa di sputtering
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La resa di sputtering (sputtering yield in inglese) è definita come il numero di atomi erosi dal bersaglio per ogni ione incidente.
È una quantità che dipende dai seguenti parametri:
- massa dello ione incidente
- massa degli atomi del bersaglio
- energia di legame interatomico nel solido
- angolo di incidenza
- energia dello ione incidente.
La curva della resa di sputtering in funzione dell'energia dello ione incidente è all'incirca lineare fino a una certa energia, oltre la quale tende a un asintoto orizzontale: a tali energie gli ioni penetrano così in profondità nel bersaglio che l'energia non è più trasmessa agli strati superficiali, ma solo a quelli sottostanti, in modo che gli atomi abbiano probabilità nulle di uscire dal bersaglio. In regimi di energie molto alte si esegue infatti un processo detto impianto ionico.
Bibliografia[modifica | modifica wikitesto]
- Kenneth A. Rubinson, Judith F. Rubinson, Chimica analitica strumentale, 1ª ed., Bologna, Zanichelli, luglio 2002, ISBN 88-08-08959-2.
Voci correlate[modifica | modifica wikitesto]
Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]
- (EN) IUPAC Gold Book, "sputter yield", su goldbook.iupac.org.