Nitruro di gallio
| Nitruro di gallio | |
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| Nome IUPAC | |
| nitruro di gallio | |
| Caratteristiche generali | |
| Formula bruta o molecolare | GaN |
| Massa molecolare (u) | 83.7297 |
| Aspetto | solido cristallino incolore |
| Numero CAS | |
| Numero EINECS | 247-129-0 |
| PubChem | 117559 |
| SMILES | N#[Ga] |
| Indicazioni di sicurezza | |
Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore a gap diretta che cristallizza generalmente sotto forma di wurtzite. In particolari condizioni è possibile però crescere epitassialmente GaN su un substrato con reticolo cristallino a zincoblenda, e ciò permette al GaN di assumere anche quest'ultima forma. Il GaN cristallizzato come wurtzite ha un energy gap diretto pari a 3,47 eV alla temperatura di 0 K.
Diversamente da tutti i semiconduttori del gruppo III-V a larga energia di gap, il GaN ha un band gap diretto, che lo rende utilizzabile per la realizzazione di laser blu e LED. In questo materiale, l'energia di legame degli eccitoni, misurata sperimentalmente, varia tra i 18 ed i 28 meV. Il fondo della banda di conduzione è ben approssimato da una relazione di dispersione parabolica, il fondo delle valli adiacenti si trova invece ad energie maggiori di almeno 2 eV.
Per descrivere la struttura a bande del GaN sotto deformazione (strain), sono necessari sei potenziali di deformazione, più il tensore di strain ed il potenziale di deformazione idrostatica totale. G. B. Ren, Y. M. Liu e P. Blood[1] hanno proposto un insieme di parametri che modellano correttamente il calcolo della struttura a bande; per quanto riguarda invece il calcolo delle costanti elastiche la teoria si allinea ai risultati di A. Polian, M. Grimsditch e I. Grzegory[2]; i coefficienti piezoelettrici utilizzati di norma sono invece calcolati da una media tra i lavori sperimentali di Bykhovki, Lueng e Shimada e quelli teorici di Bernardini e Fiorentini.
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| Controllo di autorità | Thesaurus BNCF 48792 · LCCN (EN) sh96005578 · BNF (FR) cb13621590f (data) · J9U (EN, HE) 987007553891105171 |
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