Arseniuro di gallio
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| Arseniuro di gallio | |
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| Caratteristiche generali | |
| Formula bruta o molecolare | GaAs |
| Massa molecolare (u) | 144,645 |
| Numero CAS | [ |
| PubChem | |
| Proprietà chimico-fisiche | |
| Densità (g/cm3, in c.s.) | 5,316 g/cm3 |
| Temperatura di fusione | 1238 °C |
| Indicazioni di sicurezza | |
| Simboli di rischio chimico | |
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pericolo |
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| Frasi H | 301 - 331 - 410 |
| Consigli P | 261 - 301+310 - 304+340 - 321 - 405 - 501 [1][2] |
L'arseniuro di gallio è un materiale inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio. La sua formula chimica è GaAs.
È caratterizzato da un'alta mobilità dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune) e da una banda di energia proibita diretta, per cui viene usato nei dispositivi elettronici ad altissima velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche.
Note[modifica | modifica wikitesto]
- ^ scheda della sostanza su IFA-GESTIS
- ^ Smaltire in accordo alle leggi vigenti.
