Arseniuro di gallio e alluminio

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L'arseniuro di gallio e alluminio è un semiconduttore, formato da una lega di arseniuro di alluminio (AlAs) e arseniuro di gallio (GaAs); è indicato con la formula AlxGa1-xAs, dove x è il contenuto relativo di alluminio rispetto al gallio[1].

Ha un parametro reticolare simile a quello del GaAs, ma una maggiore band gap; queste caratteristiche rendono la coppia AlGaAs/GaAs adatta per la formazione di eterostrutture di buona qualità. Trova quindi applicazione in dispositivi di tipo HEMT.

Note[modifica | modifica wikitesto]

  1. ^ (EN) S. Adachi, Introductory Remarks, in Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors, John Wiley & Sons, Ltd., 2009, p. 1, DOI:10.1002/9780470744383.ch, ISBN 9780470744383.

Voci correlate[modifica | modifica wikitesto]

Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]

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