Silicio su isolante
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La tecnologia silicio su isolante (SOI, "Silicon On Insulator", in inglese), si caratterizza per l'uso di un substrato di silicio-isolante-silicio, al posto del convenzionale substrato di silicio, nella produzione di semiconduttori. L'isolante utilizzato è, in genere, diossido di silicio o, in applicazioni nelle quali serva resistenza alle radiazioni, lo zaffiro[1].
Questa tecnica riduce le capacità parassite dei circuiti, riduce il rischio di latch-up nei circuiti CMOS e migliora la scalabilità dei circuiti integrati.
Note[modifica | modifica wikitesto]
- ^ G. K. Celler e S. Cristoloveanu, Frontiers of silicon-on-insulator (PDF), in J Appl Phys, vol. 93, n. 9, 2003, p. 4955, DOI:10.1063/1.1558223.
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Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]
- (EN) SOI Industry Consortium Archiviato il 16 novembre 2016 in Internet Archive. - a site with extensive information and education for SOI technology
- (EN) SOI IP portal - A search engine for SOI IP
- (EN) AMDboard - a site with extensive information regarding SOI technology
- (EN) Advanced Substrate News Archiviato il 2 dicembre 2016 in Internet Archive. - a newsletter about the SOI industry, produced by Soitec.
- (EN) MIGAS '04 Archiviato il 3 giugno 2017 in Internet Archive. - The 7th session of MIGAS International Summer School on Advanced Microelectronics, devoted to SOI technology and devices.
- (EN) MIGAS '09 Archiviato il 3 aprile 2004 in Internet Archive. - 12th session of the International Summer School on Advanced Microelectronics: "Silicon on Insulator (SOI) Nanodevices"
