Dispositivo multiporta
Un Dispositivo multiporta (in inglese: multigate device) o multiple gate field-effect transistor (MuGFET) fa riferimento a un MOSFET (transistor semiconduttore metalossidato ad effetto campo) che incorpora più di una porta (gate) in un singolo dispositivo. Le porte sono controllate da un singolo elettrodo-porta in cui le superfici di porte multiple agiscono elettricamente come un'unica porta o come elettrodi di porta indipendenti. Un dispositivo multiporta che impiega elettrodi indipendenti è chiamato talvolta Multiple Independent Gate Field Effect Transistor (MIGFET). I transistor multiporta sono una delle diverse strategie sviluppate dai produttori di semiconduttori CMOS per creare microprocessori e celle di memoria sempre più piccoli.
Planar double-gate transistor[modifica | modifica wikitesto]
Flexfet[modifica | modifica wikitesto]
FinFET[modifica | modifica wikitesto]
Il termine FinFET fu coniato dalla Università della California da ricercatori di Berkeley per descrivere un transistor a doppia porta non planare su un substrato SOI[1], basato sul precedente transistor DELTA (a singola porta)[2].
Transistor a tre porte[modifica | modifica wikitesto]
Gate-all-around (GAA) FET[modifica | modifica wikitesto]
MBCFET[modifica | modifica wikitesto]
É una variante GAAFET prodotta da Samsung: Multi-Bridge Channel FET (FET con canale multiponte).
Voci correlate[modifica | modifica wikitesto]
- FinFET
- RibbonFET
Note[modifica | modifica wikitesto]
Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]
- (EN) Omega FinFET (TSMC), su eetimes.com. URL consultato il 1º dicembre 2015 (archiviato dall'url originale il 29 settembre 2007).
- (EN) Flexfet Transistor (American Semiconductor), su americansemi.com. URL consultato il 1º dicembre 2015 (archiviato dall'url originale il 18 dicembre 2008).
- (EN) Intel video explaining 3D ("Tri-Gate") chip and transistor design used in 22 nm architecture of Ivy Bridge, su youtube.com.
