Dispositivo multiporta

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Un Dispositivo multiporta (in inglese: multigate device) o multiple gate field-effect transistor (MuGFET) fa riferimento a un MOSFET (transistor semiconduttore metalossidato ad effetto campo) che incorpora più di una porta (gate) in un singolo dispositivo. Le porte sono controllate da un singolo elettrodo-porta, in cui le superfici di porte multiple agiscono elettricamente come un'unica porta, o come elettrodi di porta indipendenti. Un dispositivo multiporta che impiega elettrodi indipendenti è chiamato talvolta Multiple Independent Gate Field Effect Transistor (MIGFET). I transistor multiporta sono una delle diverse strategie sviluppate dai produttori di semiconduttori CMOS per creare microprocessori e celle di memoria sempre più piccoli.

Planar double-gate transistor[modifica | modifica wikitesto]

Flexfet[modifica | modifica wikitesto]

FinFET[modifica | modifica wikitesto]

FinFET con doppia porta

Il termine FinFET fu coniato dalla Università della California da ricercatori di Berkeley per descrivere un transistor a doppia porta non planare su un substrato SOI[1], basato sul precedente transistor DELTA (a singola porta)[2].

Transistor a tre porte[modifica | modifica wikitesto]

Gate-all-around (GAA) FET[modifica | modifica wikitesto]

Note[modifica | modifica wikitesto]

  1. ^ Huang, X. et al. (1999) "Sub 50-nm FinFET: PMOS" International Electron Devices Meeting Technical Digest, p. 67. December 5–8, 1999.
  2. ^ Hisamoto, D. et al. (1991) "Impact of the vertical SOI 'Delta' Structure on Planar Device Technology" IEEE Trans. Electron. Dev. 41 p. 745.

Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]

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