Silicio su isolante

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La tecnologia silicio su isolante (SOI, "Silicon On Insulator", in inglese), si caratterizza per l'uso di un substrato di silicio-isolante-silicio, al posto del convenzionale substrato di silicio, nella produzione di semiconduttori. L'isolante utilizzato è, in genere, diossido di silicio o, in applicazioni nelle quali serva resistenza alle radiazioni, lo zaffiro[1].

Questa tecnica riduce le capacità parassite dei circuiti, riduce il rischio di latch-up nei circuiti CMOS e migliora la scalabilità dei circuiti integrati.

Note[modifica | modifica wikitesto]

  1. ^ G. K. Celler e S. Cristoloveanu, Frontiers of silicon-on-insulator (PDF), in J Appl Phys, vol. 93, nº 9, 2003, pp. 4955, DOI:10.1063/1.1558223.

Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]

  • (EN) SOI Industry Consortium - a site with extensive information and education for SOI technology
  • (EN) SOI IP portal - A search engine for SOI IP
  • (EN) AMDboard - a site with extensive information regarding SOI technology
  • (EN) Advanced Substrate News - a newsletter about the SOI industry, produced by Soitec.
  • (EN) MIGAS '04 - The 7th session of MIGAS International Summer School on Advanced Microelectronics, devoted to SOI technology and devices.
  • (EN) MIGAS '09 - 12th session of the International Summer School on Advanced Microelectronics: "Silicon on Insulator (SOI) Nanodevices"
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