Deposizione chimica da vapore potenziata dal plasma
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La deposizione chimica da vapore potenziata dal plasma (PECVD) è un processo chimico di deposizione di film sottili, i reagenti, in stato gassoso (vapore) vengono inseriti nella camera di deposizione, dove precedentemente era stato fatto il vuoto, Il plasma viene attivato da una radiofrequenza (RF) ( corrente alternata (CA)) o dalla scarica di corrente continua (CC) tra due elettrodi eccitando le molecole che reagiscono, i prodotti della reazione allo stato solido si depositano sul substrato, diffondono, si aggregano e creano il film sottile desiderato.
Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]
- (EN) plasma-enhanced chemical vapour deposition, su Enciclopedia Britannica, Encyclopædia Britannica, Inc.
