Indio gallio zinco ossido

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Indium gallium zinc oxide (IGZO) è un materiale semiconduttivo, costituito da indio (In), gallio (Ga), zinco (Zn) e ossigeno (O). Il TFT avente l'IGZO è usato nel backplane degli schermi piatti (FPD). L'IGZO-TFT è stato sviluppato dal gruppo di Hideo Hosono presso il Tokyo Institute of Technology con la collaborazione della Japan Science and Technology Agency (JST) nel 2003 (crystalline IGZO-TFT)[1][2] e nel 2004 (amorphous IGZO-TFT).[3] Nell'IGZO-TFT, l'elettrone ha una mobilità superiore, rispetto al silicio amorfo (usato molto comunemente negli LCD e gli e-papers), che può variare dalle 20-50 volte. Come risultato, l'IGZO-TFT può migliorare la velocità, la risoluzione e la dimensione degli schermi piatti. È considerato come uno dei TFT più promettenti per poter essere usato nei pannelli OLED.

IGZO-TFT e le sue applicazioni sono di proprietà di JST.[4] Sono stati conferiti in licenza a Samsung Electronics (nel 2011) e Sharp[5] (nel 2012).

Note[modifica | modifica wikitesto]

  1. ^ vol. 300, DOI:10.1126/science.1083212, PMID 12764192, https://oadoi.org/10.1126/science.1083212.
  2. ^ jst.go.jp, http://www.jst.go.jp/osirase/20130515_e.html.
  3. ^ vol. 432, DOI:10.1038/nature03090, PMID 15565150, https://oadoi.org/10.1038/nature03090.
  4. ^ jst.go.jp, http://www.jst.go.jp/pr/announce/20110720-2/index_e.html.
  5. ^ sharp.co.jp, http://www.sharp.co.jp/corporate/news/120529-c.html.