Tensione di soglia

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Tensione di soglia[modifica | modifica sorgente]

È una tensione caratteristica di ogni dispositivo a semiconduttore (diodi, transistor, MOSFET) definita da parametri tecnologici, e generalmente indicata con {V_s}, V_{tn0}, ma anche V_{tn} oppure V_{\gamma}.

La tensione di soglia è la minima differenza di potenziale applicabile tra gate e source del transistore per formare il canale; nei diodi è la minima tensione necessaria per attivare la conduzione in polarizzazione diretta. A questa tensione la concentrazione dei portatori maggioritari pareggia la concentrazione dei portatori minoritari. Rappresenta la tensione necessaria ad accendere il dispositivo.

Nei MOSFET, esistono differenti modi per incrementare e decrementare la tensione di soglia, tra i più usati ritroviamo quello di incrementare la larghezza rispetto alla lunghezza. Tale tecnica è utilizzata negli invertitori dove ad un incremento di kp rispetto a kn corrisponde un incremento della tensione di soglia.


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