Diodo Gunn

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Un'approssimazione della curva VI per un diodo Gunn, che evidenzia la regione a differenziale di resistenza negativo

Un diodo Gunn, detto anche TED (transferred electron device), è una sorta di diodo usato nell'elettronica ad alta frequenza. Consiste solo di semiconduttore drogato N, mentre solitamente i diodi consistono della giunzione di entrambe le regioni drogate P ed N. Nel diodo Gunn esistono 3 regioni: 2 drogate pesantemente N su entrambi i terminali e, all'interno, uno strato sottile e debolmente drogato. Quando viene applicata una tensione al dispositivo il gradiente elettrico sarà maggiore attraverso lo strato più sottile. La conduzione ha luogo come in ogni semiconduttore, con la corrente proporzionale alla tensione applicata. Alla fine, a valori di campo maggiori, le proprietà conduttive dello strato centrale vengono alterate aumentando la sua resistività e diminuendo il gradiente attraverso di esso, frenando l'ulteriore flusso della corrente, che inizia così a diminuire. In sostanza il diodo Gunn ha una regione a differenziale di resistenza negativo.

Il differenziale di resistenza negativo, assieme alle proprietà temporali dello strato intermedio, permette la costruzione di un oscillatore a rilassamento in radiofrequenze semplicemente applicando una corrente continua regolabile attraverso il dispositivo.

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