Discussione:Magnetoresistive Random Access Memory
Buongiorno a tutti,
Prego di controllare la voce 'prestazioni' in quanto sul sito in italiano si sottolinea che la tecnologia soffre di problemi prestazionali legati alla velocità mentre sul sito in inglese si evince che che la tecnologia in questione (MRAM) ha prestazioni paragonabili alle SRAM (tra le memorie ad accesso casuale più veloci) fino ad arrivare a 1 - 2 nsec.
Collegamenti esterni modificati[modifica wikitesto]
Gentili utenti,
ho appena modificato 1 collegamento/i esterno/i sulla pagina Magnetoresistive Random Access Memory. Per cortesia controllate la mia modifica. Se avete qualche domanda o se fosse necessario far sì che il bot ignori i link o l'intera pagina, date un'occhiata a queste FAQ. Ho effettuato le seguenti modifiche:
- Aggiunta del link all'archivio https://web.archive.org/web/20050212213019/http://www.lithium.it/articolo.asp?code=35 per http://www.lithium.it/articolo.asp?code=35
Fate riferimento alle FAQ per informazioni su come correggere gli errori del bot
Saluti.—InternetArchiveBot (Segnala un errore) 01:25, 23 mar 2018 (CET)