MESFET
In elettronica un MESFET (acronimo dell'inglese Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, lett. "transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore") è un tipo di transistor a effetto di campo simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio. I MESFET possono operare fino alla frequenza di circa 45 GHz e sono componenti spesso utilizzati per la costruzione di sistemi a microonde.
La principale limitazione dei MESFET risiede nella scarsa mobilità delle lacune all'interno dei materiali dei gruppi III-V: se si volesse realizzare un sistema CMOS tramite MESFET non sarebbe possibile ottenere le stesse prestazioni in frequenza per i dispositivi a canale p e a canale n.
Struttura
[modifica | modifica wikitesto]Il MESFET è un dispositivo a quattro terminali: Gate, Source, Drain e Body. Analogamente ad un JFET il MESFET è realizzato in modo da avere un canale di conduzione modulato da un allargamento di una zona di svuotamento controllata dal gate.
A differenza dei JFET, dove il canale di conduzione viene controllato dallo svuotamento di una giunzione PN, in un MESFET viene realizzata una giunzione Schottky sul gate (tipicamente Al su GaAs-n), con il risultato di combinare l'elevata mobilità dei materiali III-V con la capacità di svuotamento del metallo, principale vantaggio dei diodi Schottky.
Prestazioni in frequenza
[modifica | modifica wikitesto]In prima approssimazione, la frequenza di taglio di un MESFET è il rapporto tra la sua transconduttanza e la somma delle capacità viste dal gate, ed è proporzionale a μ/L², rispettivamente la mobilità degli elettroni nel canale e la lunghezza del canale stesso.
La scelta dei materiali III-V permette non solo di avere mobilità elevate (sia sufficiente pensare che in GaAs la mobilità degli elettroni è di circa 8500 cm2/(V·s) a 300K contro i 1400 cm2/(V·s) del silicio) ma anche di realizzare, tramite tecnologie di impiantazione ionica, dispositivi molto più corti dei JFET.[1] Sono comunemente usati nelle telecomunicazioni a microonde e per i radar. Dal punto di vista del design di circuiti digitali, l'uso dei MESFET è particolarmente difficoltoso.
Note
[modifica | modifica wikitesto]- ^ Lepkowski W., Wilk S.J., Thornton T.J.,, 45 GHz Silicon MESFETs on a 0.15 µm SOI CMOS Process, in SOI Conference, 2009 IEEE International (Foster City, California), 2009, pp. 1–2, ISSN 1078-621X, , ISBN 978-1-4244-4256-0.
Bibliografia
[modifica | modifica wikitesto]- Adel Sedra, K.C. Smith, Circuiti per la microelettronica, a cura di Aldo Ferrari, IV edizione, Roma, Edizioni Ingegneria 2000, 2004, pp. 451-456, ISBN 88-86658-15-X.
Voci correlate
[modifica | modifica wikitesto]- Transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore
- CMOS
- Transistor ad alta mobilità elettronica ad effetto di campo
- Transistor a effetto di campo
- Transistore unigiunzione
- Transistor bipolare a gate isolato
- Transistor a giunzione bipolare
- Effetto Early
- Dispositivi a semiconduttore
Altri progetti
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Collegamenti esterni
[modifica | modifica wikitesto]- (EN) metal-semiconductor field-effect transistor, su Enciclopedia Britannica, Encyclopædia Britannica, Inc.
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