Differenze tra le versioni di "Transistor a effetto di campo"

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IvsV mosfet.svg
(IvsV mosfet.svg)
 
Lo strato di inversione è molto sottile e l'elevata concentrazione di elettroni è spiegata dal processo di generazione elettrone-lacune nella regione di svuotamento.
[[File:IvsV mosfet.pngsvg|thumb|left|250px|Andamento della corrente del ''pozzo ''in funzione della tensione tra ''pozzo ''e ''sorgente ''per vari valori di <math>V_{GS}-V_{th}</math> in un MOSFET. La linea di contorno tra le regioni lineare e di saturazione è rappresentata dal ramo di parabola.]]
 
== Funzionamento ==
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