SRAM: differenze tra le versioni
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La '''SRAM''', [[acronimo]] di ''Static Random Access Memory'', è un tipo di [[RAM]] volatile che non necessita di refresh. I banchi di memorie SRAM consentono di mantenere le informazioni per un tempo teoricamente infinito, hanno bassi tempi di lettura e bassi consumi, specialmente in condizioni statiche. La necessità di usare molti componenti per cella le rende però più costose delle [[DRAM]]. |
La '''SRAM''', [[acronimo]] di ''Static Random Access Memory'', è un tipo di [[RAM]] non volatile che non necessita di refresh. I banchi di memorie SRAM consentono di mantenere le informazioni per un tempo teoricamente infinito, hanno bassi tempi di lettura e bassi consumi, specialmente in condizioni statiche. La necessità di usare molti componenti per cella le rende però più costose delle [[DRAM]]. |
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Le celle di una SRAM sono costituite da un circuito retroazionato formato da due [[Invertitore logico|invertitori logici]] le cui uscite sono collegate alle due estremità alle linee dei dati tramite due [[transistor]] detti porte di trasmissione. Le singole coppie di porte di trasmissione vengono abilitate a seconda della cella su cui deve essere effettuata la lettura o scrittura. Vengono rese disponibili sia il [[bit]] memorizzato che la sua negazione per un migliore controllo dei [[margini di rumore]]. |
Le celle di una SRAM sono costituite da un circuito retroazionato formato da due [[Invertitore logico|invertitori logici]] le cui uscite sono collegate alle due estremità alle linee dei dati tramite due [[transistor]] detti porte di trasmissione. Le singole coppie di porte di trasmissione vengono abilitate a seconda della cella su cui deve essere effettuata la lettura o scrittura. Vengono rese disponibili sia il [[bit]] memorizzato che la sua negazione per un migliore controllo dei [[margini di rumore]]. |
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Versione delle 18:20, 17 feb 2012
La SRAM, acronimo di Static Random Access Memory, è un tipo di RAM non volatile che non necessita di refresh. I banchi di memorie SRAM consentono di mantenere le informazioni per un tempo teoricamente infinito, hanno bassi tempi di lettura e bassi consumi, specialmente in condizioni statiche. La necessità di usare molti componenti per cella le rende però più costose delle DRAM.
Le celle di una SRAM sono costituite da un circuito retroazionato formato da due invertitori logici le cui uscite sono collegate alle due estremità alle linee dei dati tramite due transistor detti porte di trasmissione. Le singole coppie di porte di trasmissione vengono abilitate a seconda della cella su cui deve essere effettuata la lettura o scrittura. Vengono rese disponibili sia il bit memorizzato che la sua negazione per un migliore controllo dei margini di rumore.
Sono solitamente usate per le memorie cache, dove elevate velocità e ridotti consumi sono caratteristiche fondamentali.
La famiglia delle memorie SRAM può essere poi suddivisa in:
- async SRAM (SRAM asincrona): lavora in modo asincrono rispetto al clock della CPU, ciò comporta degli stati di attesa della CPU (wait state) per l'accesso, viene utilizzata come cache di secondo livello;
- sync SRAM (SRAM sincrona): lavora in sincronia con il clock della CPU, si hanno quindi dei tempi di attesa ridotti (o annullati);
- pipeline Burst SRAM: è ottimizzata per trasferimenti di pacchetti (burst) di dati.