Rivestimento per rotazione: differenze tra le versioni

Da Wikipedia, l'enciclopedia libera.
Vai alla navigazione Vai alla ricerca
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Riga 14: Riga 14:


* Deposizione della soluzione sul substrato
* Deposizione della soluzione sul substrato
:Ciò può essere fatto usando una ''pipetta'' che depositi poche gocce della soluzione o spruzzandola sulla superficie del substrato. Solitamente si deposita un eccesso di soluzione, rispetto alla quantità effettivamente richiesta (questo a causa del fatto che una parte di soluzione viene proiettata fuori dal disco). Preliminarmente, il substrato era stato ancorato al disco rotante dello spin coater tramite una piccola pompa da [[vuoto]] e il tutto viene successivamente coperto per evitare dispersioni di soluzione nell’ambiente.
:Ciò può essere fatto usando una ''pipetta'' che depositi poche gocce della soluzione o spruzzandola sulla superficie del substrato. Solitamente si deposita un eccesso di soluzione, rispetto alla quantità effettivamente richiesta (questo a causa del fatto che una parte di soluzione viene proiettata fuori dal disco).
Il substrato viene ancorato al disco rotante dello spin coater, si abbassa la pressione tramite una piccola pompa da [[vuoto]] e il tutto viene successivamente coperto per evitare dispersioni di soluzione nell’ambiente.


* Accelerazione del substrato fino alla velocità di rotazione scelta
* Accelerazione del substrato fino alla velocità di rotazione scelta

Versione delle 12:48, 3 feb 2009

Il Rivestimento per rotazione anche detto Spin Coating in termini tecnici, è una procedura utilizzata per applicare un film sottile e uniforme ad un substrato solido piano. In breve, una quantità in eccesso di una soluzione molto diluita della specie che si vuole depositare (ad esempio, un polimero) viene depositata sul substrato, che è successivamente messo in rapida rotazione tramite un apposito spin coater (brevemente spinner), al fine di spargere il fluido sul substrato per effetto della forza centrifuga. I solventi utilizzati sono di solito molto volatili (clorobenzene, ecc.), dunque il film si assottiglia durante il processo anche per effetto dell'evaporazione del solvente. La rotazione viene fermata non appena si raggiunge lo spessore desiderato, che può andare al di sotto dei 10 nm.

Applicazioni

Schematizzazione del Processo

Il processo dello spin coating è generalmente suddiviso in letteratura in quattro fasi principali.

  • Deposizione della soluzione sul substrato
Ciò può essere fatto usando una pipetta che depositi poche gocce della soluzione o spruzzandola sulla superficie del substrato. Solitamente si deposita un eccesso di soluzione, rispetto alla quantità effettivamente richiesta (questo a causa del fatto che una parte di soluzione viene proiettata fuori dal disco).

Il substrato viene ancorato al disco rotante dello spin coater, si abbassa la pressione tramite una piccola pompa da vuoto e il tutto viene successivamente coperto per evitare dispersioni di soluzione nell’ambiente.

  • Accelerazione del substrato fino alla velocità di rotazione scelta
Questa fase è caratterizzata dall'espulsione del liquido in eccesso (circa il 90% nel 1° secondo), dalla formazione di vortici a spirale (alto numero di Reynolds) e da un alto shear rate.
  • Rotazione del substrato a velocità costante
Lo strato di soluzione si assottiglia gradualmente per effetto della forza centrifuga, cui si oppongono le forze di tipo viscoso. Il moto del fluido sul substrato è ora di tipo laminare (basso numero di Reynolds), con un basso tasso di scorrimento. La conduzione termica all'interno del fluido avviene prevalentemente per convezione (alto numero di Peclet).
  • Rotazione del substrato a velocità costante ed evaporazione
A questo punto, le forze di tipo viscoso aumentano rapidamente per effetto della graduale evaporazione del solvente, finché non controbilanciano la forza centrifuga e l'assottigliamento del film termina. La conduzione termica nel fluido avviene prevalentemente per conduzione (basso numero di Peclet).

Alla fine del processo, resta circa il 10% di solvente, che viene rimosso tramite una successiva fase di annealing.

Voci correlate

Bibliografia

  • Bornside et al., J. Imaging Technology 13, 122 (1987)
  • W. W. Flack et al., J. Appl. Phys. 56 (4), 1199 (1978)
  • C. J. Lawrence, Phys. Fluids 31 (10), 2786 (1988)
  • D. Meyerhofer, J. Appl. Phys. 49, 3993 (1978)
  • S. Middleman and A.K. Hochberg Process Engineering Analysis in Semiconductor Device Fabrication, McGraw-Hill, 313 (1993)
  • W. M. Moreau, Semiconductor Litography, Plenum Press, New York, 291 (1991)

Collegamenti esterni


  Portale Fisica: accedi alle voci di Wikipedia che trattano di fisica