MOSFET: differenze tra le versioni

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Prendiamo come esempio il mosfet FDP6030L. La sua RDSon risulta sempre compresa tra 0,0095 e 0,02 ohm; utilizzandolo per interrompere una corrente di 10 Ampere la caduta di tensione massima tra drain e source sarà quindi di 0,2 volt. In analoghe condizioni di lavoro, un transistor di potenza tradizionale avrebbe una Vce-sat di almeno 1 volt o più. In questo modo il mosfet consente di migliorare il rendimento e diminuire la dissipazione termica di apparecchi di potenza alimentati a basse tensioni, come il caso degli inverter. Inoltre questa caratteristica consente di migliorare lo [[slew rate]] degli amplificatori audio, oltre a diminuirne la dissipazione termica. In conclusione abbiamo un componente di piccole dimensioni, in contenitore TO220, in grado di lavorare con correnti molto elevate, fino a 52 ampere, e tensioni fino a 30 volt.
 
Ovviamente le caratteristiche dei singoli modelli di mosfet di potenza variano in funzione delle specifiche richieste. Per esempio, il BUK455-100A può lavorare fino a 100 volt, ma con correnti massime di 26 ampere e una RDSon di 0,08 ohm, mentre il STW7NA80 sopporta tensioni fino a 800 volt, con 6,5 ampere e una RDSon tipica di 1,68 ohm. Appare dunque evidente la necessità di scegliere oculatamente il modello di mosfet necessario per ogni singola applicazione, evitando di surdimensionaresovradimensionare eccessivamente la tensione massima rispetto a quella di lavoro.
 
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