Memoria Racetrack

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Principe Racetrack Memory

La memoria Racetrack è un tipo di memoria non volatile in fase di sperimentazione presso l'Almaden Research Center dell'IBM. Lo sviluppo è affidato a un team guidato da Stuart Parkin[1]. La memoria utilizza una corrente elettrica spin-polarizzata per muovere dei domini magnetici attraverso un filo di permalloy della lunghezza di circa 200 nm e uno spessore di 100 nm. Mentre la corrente attraversa il filo, i domini magnetici passano attraverso le testine di lettura/scrittura posizionate vicino al filo, che alterano i domini per registrare sequenze di bit. Una memoria racetrack è composta da molti moduli composti da filo e testina[2].

Nel 2008 ne è stata presentata una versione a 3 bit[2]. Se lo sviluppo procederà con successo, le racetrack saranno in grado di offrire una densità maggiore rispetto ai dispositivi a stato solido, come le memorie flash o gli hard disk utilizzati attualmente, ma anche maggiori prestazioni durante le operazioni di lettura/scrittura. La racetrack è un esempio di tecnologia che in futuro potrebbe essere adottato universalmente[3].

Note[modifica | modifica wikitesto]

  1. ^ (EN) Magnetoelectronics and Spintronics&SpinAps (IBM-Stanford Spintronic Science and Applications Center) - IBM, su researcher.watson.ibm.com, 25 luglio 2016. URL consultato il 14 luglio 2018.
  2. ^ a b (EN) Masamitsu Hayashi, Luc Thomas e Rai Moriya, Current-Controlled Magnetic Domain-Wall Nanowire Shift Register, in Science, vol. 320, nº 5873, 11 aprile 2008, pp. 209–211, DOI:10.1126/science.1154587. URL consultato il 14 luglio 2018.
  3. ^ (EN) Mittal, Sparsh, A Survey of Techniques for Architecting Processor Components Using Domain-Wall Memory, in ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems, vol. 13, nº 2. URL consultato il 14 luglio 2018.
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