Litografia ultravioletta estrema

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Immagine del meccanismo di formazione della litografia EUV. In cima: Multistrato EUV e assorbitore (viola) costituente una maschera pattern per il disegno di una linea. Sotto: Radiazione EUV (rosso) riflesso dalla maschera di pattern che è assorbito nella "resistenza" (giallo) e nel substrato (marrone), producendo fotoelettroni ed elettroni secondari (blu). Questi elettroni incrementano la portata delle reazioni chimiche nella resistenza.

La Litografia ultravioletta estrema o EUV o EUVL acronimi inglesi per Extreme ultraviolet lithography è una tecnologia di prossima generazione di litografia che usa lunghezze d'onda nell'ultravioletto estremo (EUV), attualmente atteso per i 13,5 nm. EUV è attualmente sviluppato per essere utilizzato Intel[1], GlobalFoundries[2] e Samsung[3] per i 7 nm, da TSMC[4] per i 5 nm e da SMIC per i 14 nm[5].

Esposizione del fotoresist[modifica | modifica wikitesto]

Difetti[modifica | modifica wikitesto]

Proiezione ottica[modifica | modifica wikitesto]

Throughput vs. risoluzione[modifica | modifica wikitesto]

Impatto dei fotoelettroni e degli elettroni secondari sulla risoluzione[modifica | modifica wikitesto]

Deployment e produzione[modifica | modifica wikitesto]

Correzione di prossimità ottica[modifica | modifica wikitesto]

Pattern[modifica | modifica wikitesto]

Dimostrazioni[modifica | modifica wikitesto]

Note[modifica | modifica wikitesto]

Voci correlate[modifica | modifica wikitesto]

Altri progetti[modifica | modifica wikitesto]

Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]

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