DDR4

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1leftarrow blue.svgVoce principale: DDR SDRAM.

Modulo di memoria DDR4 SDRAM

DDR4 è lo standard di memorie RAM sviluppato come successore delle memorie DDR3. È un tipo di "memoria ad accesso casuale dinamica sincrona" (SDRAM), con una elevata larghezza di banda (DDR è acronimo di double data rate, dall'inglese "doppia velocità di trasferimento").

Si tratta di una delle ultime varianti di memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM), standard introdotto a partire dai primi anni settanta. Essa è incompatibile con le precedenti specifiche di memoria ad accesso casuale (RAM) a causa delle diverse tensioni elettriche, dell'interfaccia fisica e di altri fattori.

Il primo modulo DDR4, venne prodotto dalla Samsung, che diede l'annuncio sulla sua produzione nel gennaio 2011 e lo mise in commercio nel settembre 2012.[1]

Vantaggi[modifica | modifica wikitesto]

I vantaggi principali delle DDR4 rispetto al suo predecessore DDR3 sono: maggiore densità, tensione inferiore e maggiore velocità di trasferimento dati. DDR4 opera a una tensione di 1,2 V con una frequenza compresa tra 1600 e 4000 MHz, mentre DDR3 opera a una tensione di 1.5 o 1.65 V con una frequenza compresa tra 800 e 2133 MHz. È in corso di realizzazione anche uno standard a bassa tensione di 1.05 V (DDRL) che andrà raffrontato con lo standard a bassa tensione di DDR3 (DDR3L) che opera a 1.35V. I moduli DDR4 possono anche essere fabbricati con una densità due volte superiore rispetto alle DDR3.

Note[modifica | modifica wikitesto]

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