Seleniuro di rame indio e gallio

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Seleniuro di rame indio e gallio
Cella dell'unità CIGS. Rosso = Cu, giallo = Se, blu = In/Ga
Nomi alternativi
CIGS
Caratteristiche generali
Formula bruta o molecolare CuInxGa(1-x)Se2
Numero CAS [12018-95-0] (CuInSe2)
Proprietà chimico-fisiche
Densità (g/cm3, in c.s.) ~5,7 (20 °C)
Temperatura di fusione 1070-990 °C(x=0–1)[1]
Sistema cristallino tetragonale, simbolo di Pearson tI16[1]

Il copper indium gallium (di)selenide (CIGS), ossia (di)seleniuro di rame indio gallio (Numero CAS: 12018-95-0), è un materiale semiconduttore del I-III-VI2, composto di rame, indio, gallio e selenio. Il materiale a temperatura ambiente si presenta come una soluzione solida di di-seleniuro di rame e indio (spesso abbreviata "CIS") e di diseleniuro di rame e gallio, con una formula chimica bruta di CuInxGa(1-x)Se2, dove il valore di "x" può variare da 1 (seleniuro di rame-indio puro) fino a 0 (seleniuro puro di rame-gallio).

Il CIGS consiste in un semiconduttore, con la struttura del cristallo di calcopirite con legami chimici a tetraedro, ed una banda proibita che varia continuamente con x da circa 1,0 eV (per il seleniuro di rame-indio) fino a circa 1,7 eV (per il seleniuro di rame-gallio).

Il CIGS viene utilizzato come materiale adsorbente della luce nelle celle solari a film sottile.[2]

Struttura[modifica | modifica wikitesto]

Come già detto, il CIGS è un semiconduttore con legami chimici a tetraedro e la struttura del cristallo di calcopirite. Quando viene riscaldato assume la forma cristallina della zincoblenda e la temperatura di transizione scende da 1.045 °C per x=0 a 805 °C per x=1.[1] L’Istituto dei materiali per l'elettronica e il magnetismo (IMEM-CNR) di Parma ha messo a punto (ottobre 2012) una nuova tecnica per produrre celle solari di CIGS a basso costo, abbassando la temperatura di deposizione dei film da 400 °C a 270 °C, grazie ad una tecnica denominata Pulsed Electron Deposition (PED) che utilizza delle scariche elettriche controllate per vaporizzare istantaneamente il CIGS dalla superficie di un lingotto e trasferirlo sul substrato della cella solare[3].

Note[modifica | modifica wikitesto]

  1. ^ a b c T. Tinoco, Rincón, C., Quintero, M., Pérez, G. Sánchez, Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1−ySe2 Alloys in Physica Status Solidi (a), vol. 124, nº 2, 1991, p. 427, DOI:10.1002/pssa.2211240206.
  2. ^ DOE Solar Energy Technologies Program Peer Review, U.S. Department of Energy 2009. URL consultato il 10 febbraio 2011.

Voci correlate[modifica | modifica wikitesto]

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