GlobalFoundries

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GlobalFoundries Inc.
Stato Stati Uniti Stati Uniti
Tipo Joint venture
Fondazione 2 marzo 2009 a Sunnyvale, CA, USA
Persone chiave Sanjay Jha (CEO)
Settore Fonderia di semiconduttori
Prodotti Wafer (elettronica)
Dipendenti 10.000[1] (2008)
Sito web www.globalfoundries.com

GlobalFoundries Inc. è la terza fonderia di semiconduttori indipendente più grande al mondo, con il suo quartier generale situato a Sunnyvale, California. GlobalFoundries è stato creato dalla cessione delle attività di fonderia di AMD il 2 marzo 2009, ed è stato ampliato attraverso la sua fusione con Chartered Semiconductor, il 13 gennaio 2010. Advanced Technology Investment Company (ATIC), una società di investimento costituita dal governo di Abu Dhabi, è il più grande investitore in azienda.

GlobalFoundries produce circuiti integrati in alto volume soprattutto per aziende di semiconduttori quali AMD, ARM, Broadcom, Nvidia, Qualcomm, STMicroelectronics e Texas Instruments.

L'azienda dispone di cinque impianti di fabbricazione a 200 millimetri, e due a 300 millimetri: uno operante in Germania, e uno a Singapore. Un nuovo impianto di 300 millimetri è attualmente in costruzione a New York.

Panoramica[modifica | modifica wikitesto]

GlobalFoundries serve le esigenze manifatturiere dei propri clienti attraverso i suoi servizi di fonderia ad alto volume. Attualmente possiede otto stabilimenti di fabbricazione: Fab 1 (Modulo 1 e 2) a Dresda, Germania. Fabs da 2 a 7 sono a Singapore, e un nuovo impianto, Fab 8, sarà operativo a New York nel 2012.

GlobalFoundries Fab 1 a Dresda, Germania

Impianti di fabbricazione[modifica | modifica wikitesto]

Fab 1[modifica | modifica wikitesto]

Fab 1, situato a Dresda, in Germania è una impianto da 364.512 m². Una volta trasferito a GlobalFoundries inizialmente Fab 36 e Fab 38 sono stati rinominati rispettivamente Modulo 1 e Modulo 2. Ogni modulo in grado di produrre 25.000 wafer al mese.[2]

Modulo 1: è un impianto di produzione di wafer a 300mm. È in grado di fabbricare wafer a 65 nm e 45 nm per l'uso in CPU AMD, APU, e futuri 32 nm SOI HKMG silicio.

Modulo 2: è in un periodo di transizione, è in atto la conversione da 200 mm a 300 mm per la produzione di wafer da 55 nm e 40 nm per l'uso in chipset, GPU, e futuri 28 e 32 nm bulk HKMG di silicio.

Fab 7[modifica | modifica wikitesto]

Fab 7, con sede a Singapore, è un impianto di produzione di wafer a 300mm, originariamente di proprietà di Chartered Semiconductor.

Fab 8[modifica | modifica wikitesto]

Fab 8, situato nel Luther Forest Technology Campus, Contea di Saratoga, New York è un nuovo impianto a 300 mm. Questo impianto di fabbricazione è stato precedentemente denominato Fab 4x, quando era ancora parte di AMD. E sarà un nuovo impianto di wafer da 28 nm. La costruzione dell'impianto ha avuto inizio nel luglio 2009 e la società prevede di iniziare la produzione di massa nel 2012.[3]

La fusione con Chartered Semiconductor[modifica | modifica wikitesto]

L'investitore di maggioranza di GlobalFoundries, Abu Dhabi's Advanced Technology Investment Co., ha annunciato il 6 settembre 2009, che ha concordato l'acquisizione di Singapore Chartered Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., per un totale di 3,9 miliardi di dollari.

Il CEO di GlobalFoundries Doug Grose sarà a capo della società combinata, mentre Chia Song Hwee, CEO della Chartered dovrebbe servire come capo operativo ufficiale. Temasek Holdings, la controllata del governo di singapore, che controlla più del 60% della Chartered, ha "firmato un impegno irrevocabile a votare a favore della transazione ", ha detto la società in una dichiarazione.

Chartered Semiconductor è un membro della Common Platform, semiconductor technology alliance della IBM. GlobalFoundries è un partner JDA della Common Platform Technology Alliance.

Note[modifica | modifica wikitesto]

  1. ^ Globalfoundries FAQ
  2. ^ Globalfoundries Dresden, Germany
  3. ^ GlobalFoundries Saratoga County, New York, USA

Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]

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Coordinate: 37°24′55.05″N 121°58′28.01″W / 37.415293°N 121.974448°W37.415293; -121.974448