Discussione:65 nm

Segnalo alcune inesattezze: 1. il termine elettromigrazione è fuorviante. Con elettromigrazione si intende il processo con cui la corrente che scorre attraverso una pista conduttrice (anche un collegamento in uno dei livelli di metal non necessariamente collegato ad un gate) trascina ioni del metallo di cui è costituito il conduttore. Se la corrente è troppo elevata per la sezione della pista, il fenomeno può essere distruttivo (http://it.wikipedia.org/wiki/Elettromigrazione). Tale problema è noto anche per nodi tecnologici per i quali il fenomeno del leakage è assente o trascurabile (ad esempio: http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/2300/130564_DS.pdf ) 2. La tecnica di stressare il silicio non risolve direttamente il problema del leakage. Lo strained-silicon (http://en.wikipedia.org/wiki/Strained_silicon, "Physically-based unified compact model for low-field carrier mobility in MOSFETs with different gate stacks and biaxial/uniaxial stress conditions" - Electron Devices Meeting, 2007. IEDM 2007. IEEE International ) offre una mobilità maggiore grazie ad una modifica delle bande di conduzione e di valenza e, in ultima analisi, della massa efficace dei portatori di carica. Questo può aiutare il problema del leakage nel senso che, avendo una massa efficace minore, si può aumentare lo spessore dell'ossido di gate (a parità di mobilità complessiva del dispositivo). Nell'ottica di massimizzare le performance questa strada non mi risulta sia mai stata seguita (lo sforzo è mirato ad aumentare la mobilità per effetto dello strain E di aumentarla per effetto di una maggiore capacità Gate-Bulk quindi o con ossidi più sottili o con isolanti ad alto K) Fisicamente è comunque errato dire che lo strained silicon riduce il leakage. Sono due fenomeni fisici completamente separati.

Ottima segnalazione, ma puoi tranquillamente inserire tu le modifiche necessarie nella voce. Ne sai più di altri e sei quindi più indicato di altri.--Luca Detomi (msg) 18:02, 15 nov 2010 (CET)