CBRAM

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La CBRAM (Conductive Bridging Ram) è una forma in via di sviluppo di memoria non volatile, sviluppata dalla Arizona State University e dal suo spin-off Axon Technologies. È basata sulle proprietà di un elettrolita solido (generalmente solfuro di germanio drogato con rame) posto tra un elettrodo relativamente inerte (ad esempio tungsteno) e uno elettrochimicamente attivo (ad esempio argento o rame). In queste condizioni l'applicazione di un campo elettrico tra i due elettrodi provoca uno spostamento di ioni metallici nell'elettrolita con la conseguente formazione di “nano-fili” conduttivi. L'operazione di scrittura, pertanto, provoca la diminuzione della resistenza sul percorso del segnale. I nano-fili rimangono stabili anche in assenza del campo elettrico che ne ha provocato la formazione; l'applicazione di un campo elettrico inverso, tuttavia, riporta gli ioni metallici verso le loro posizioni iniziali, rompendo così i nano-fili e aumentando nuovamente la resistenza. I principali vantaggi della tecnologia Cbram sono basso consumo, alta velocità di scrittura, lunga durata e la possibilità teorica di raggiungere dimensioni di cella pari a quelle di pochi ioni. Vari produttori di memorie hanno acquistato da Axon la licenza di questa tecnologia mentre NEC ha sviluppato una propria variante denominata “Nanobridge”.

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